MEMORIA KINGSTON - 4GB - DDR3-1600MHZ - SODIMM - 204PIN - LATENCIA 11 - 1.5V - Imagen 1
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MEMORIA KINGSTON - 4GB - DDR3-1600MHZ - SODIMM - 204PIN - LATENCIA 11 - 1.5V

KINGSTON - Memoria kingston - 4gb - ddr3-1600mhz - sodimm - 204pin - latencia 11 - 1.5v
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  • Fuente de alimentación: JEDEC estándar de 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
  • VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
  • 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin
  • 8 bancos internos independientes
  • Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6
  • Latencia Additive programable: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
  • 8-bit pre-fetch
  • Longitud de ráfaga: 8 (Intervalo sin limite, secuencial solo con dirección inicial '000'), 4 con tCCD = 4 que no permite lecturas o escrituras transparentes [o al vuelo usando A12 o MRS]
  • Diferencial de datos Strobe Bi-direccional
  • Calibración interna (Auto): Autocalibración interna mediante pin ZQ (RZQ : 240 ohm ± 1%)
  • Terminación 'On Die' usando pin ODT
  • Promedio periodo de actualizacion 7.8us a un menor que TCASE 85ºC, 3.9us a 85ºC <TCASE <95ºC
  • Reset Asíncrono
  • PCB : Alto 1.180? (30.00mm), componentes a doble cara

    • Especificaciones tecnicas

    • CL(IDD): 11 ciclos
    • Tiempo de ciclo fila (tRCmin): 48.125ns (min.)
    • Actualizar a Active/Refresh tiempo comando (tRFCmin): 260ns (min.)
    • Tiempo de ciclo fila (tRASmin) 35ns (min.)
    • Potencia máxima de funcionamiento 2.100 W (Potencia variará dependiendo de la SDRAM utilizado)
    • UL Rating 94 V - 0
    • Temperatura de funcionamiento 0º C to 85º C
    • Temperatura de almacenamiento -55º C to +100º C
    KINGSTON
    DEKVR16S11S8/4
    2 Artículos

    Ficha técnica

    Memoria
    4 GB RAM
    Tipo de Memoria
    Memoria DDR3
    Voltaje
    1.5 V
    Latencia CAS
    CL11
    Formato Memoria
    SODIMM

    Referencias específicas

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